CelebFaces Attributes Dataset (CelebA)数据集由202599幅图像组成，本压缩包上传了20000张数据，用于生成对抗网络（GAN）的训练

利用基础GAN生成彩色图像的全部代码，代码中用到的celeba.h5文件由于文件太大，无法上传，可以去https://blog.csdn.net/didi_ya/article/details/121619750这里的第五部分自行生成

今天小编就为大家分享一篇pytorch GAN生成对抗网络实例，具有很好的参考价值，希望对大家有所帮助。一起跟随小编过来看看吧

SCADA-GAN合成代 使用通用对抗网络综合生成SCADA数据集。 从简单的GAN网络开始，发展到WGAN和具有不同结果的CGAN。 二手的Keras和2功能：发电机频率和发电机电压相位更简单 观察结果：具有2个特征，所获得的综合数据集与真实特征非常相似。 哦耶！！ 但是...当使用大量特征时，会观察到渐变消失（如Ian GoodFellow的论文）。 使用Wassertein GAN（ ）实现进行了进一步测试，以解决这种情况，并生成更多功能和CGAN以取得更好的结果。 样本合成生成的SCADA消息 Synthetic Data set output (Created by GAN): Generator Prod Freq Avg Generator Prod Volt Phase Avg 0 50.312412 405.223846 1 50.780399

GAN

本PPT为个人理解，简单易懂，适合刚入GAN的小白看 包括：GAN产生原因、GAN原理、GAN动态训练、CGAN原理及网络例子 希望看到人会有帮助

氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。 一、氮化镓（GaN）器件介绍:GaN器件分为两种类型: 耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。 增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。 GaN VS MOSFET: 他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。 二、手机快充介绍:能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。 实现手机快速充电方法: 1.电压不变，提高电流； 2.电流不变，提升电压； 3.电压、电流均提高。 手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。 三、氮化镓（GaN）快充:氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。 氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分 充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。 电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。 转载自唯样电子资讯。

目录：氮化镓材料的光电特性氮化镓 应用市场氮化镓充电器及其设计难题氮化镓产业链氮化镓普及的

HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中

WaveGAN: 使用GAN合成原始音频，WaveGAN的官方TensorFlow实现