微电子经典教材《微电子器件与IC设计基础》习题解答第三章

本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题，包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念 、“HKMG”、 窄沟道效应 、热载流子（HCE）效应、源漏穿通及次开启抑制措施、 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP，3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容，总结非常详细，内容十分丰富，特别适合期末考试复习使用。

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