完整英文版 IEC 60269-4：2016 Low-voltage fuses - Part 4：Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices（低压熔断器 - 第 4 部分：半导体器件保护用熔断器的补充要求）。本标准补充或修改了第 1 部分的相关条款或子条款。用于保护半导体器件的熔断器应符合 IEC 60269-1 的所有要求，如果 下文未另行说明，并且还应遵守下文规定的补充要求。 本第五版取消并替代了2006年出版的第四版，构成技术性修订。 第四版的重大技术变化是： - 引入电压源逆变器熔断器，包括测试要求； - 交流运行特性测试的覆盖范围。 通过分断能力测试； - 更新用于保护半导体器件的标准化熔断体示例。

完整英文电子版 JEDEC JESD89A：2006(R2012) Measurement and Reporting of Alpha Particle and Terrestrial Cosmic Ray-Induced Soft Errors in Semiconductor Devices(半导体器件中阿尔法粒子和地球宇宙射线引起的软误差的测量和报告)。本规范定义了集成电路的地面软错误率 (SER) 测试和结果报告的标准要求和程序。 描述了实时（非加速）和加速测试程序。 在陆地、地球高度，主要的辐射源包括宇宙射线辐射和来自封装和芯片材料中放射性同位素杂质的 α 粒子辐射。 一个设备的 SER 的整体评估是完整的，只有当一个非加速测试完成，或者已经获得了 alpha 粒子分量和宇宙辐射分量的加速 SER 数据。

完整英文版 JEDEC JEP122H：2016 Failure Mechanisms And Models For Semiconductor Devices （ 半导体器件的失效机制和模型 ）。本标准提供了一份失效机制及其相关激活能或加速因子的清单，当唯一可用的数据是基于在加速应力测试条件下进行的测试时，可用于进行系统失效率估计。要使用的方法是失效率之和法。本标准还为可靠性建模参数的选择提供了指导，即函数形式、表观热活化能值以及对电源电压、基片电流、电流密度、栅极电压、相对湿度、温度循环范围、移动离子浓度等应力的敏感性。

进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。 　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。　　  来源:ks99

双极型与MOS半导体器件原理 1.半导体器件的物理基础 2.p-n结 3.晶体管的直流特性 4.晶体管的频率特性和功率特性 5.晶体管的开关特性 6.半导体表面特性及MOS电容 7.MOS场效应晶体管的基本特性 8.MOS功率场效应晶体管的结构和特性 9.小尺寸MOS器件的特性 欢迎大家共享资源。

包含的全部8份最新英文标准文件是： 1， IEC 62435-1：2017 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第1部分：总则 2， IEC 62435-2：2017 电子元件--电子半导体器件的长期储存--第二部分：劣化机制 3， IEC 62435-3：2020 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第3部分：数据 4， IEC 62435-4：2018 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第4部分：储存 5， IEC 62435-5：2017 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第5部分：芯片和晶圆器件 6， IEC 62435-6：2018 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第6部分：包装或成品器件 7， IEC 62435-7：2020 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第7部分：微机电器件 8， IEC 62435-8：2020 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第8部分：无源电子器件

完整英文版 IEC 62435-1：2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 1：General(电子元件-电子半导体器件的长期储存-第1部分：总则)。关于长期储存的IEC 62435-1:2017涵盖了长期储存的术语、定义和原则，可作为一种减少报废的策略使用。长期储存是指对于计划长期储存的产品，其持续时间可以超过12个月。此外，还涉及理念、良好的工作实践以及促进电子元件成功长期储存的一般手段。

完整英文版 IEC 62435-2：2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductordevices - Part 2：Deterioration mechanisms（电子元件 - 电子半导体器件的长期储存 - 第 2 部分：劣化机制）。IEC 62435-2:2017 与劣化机制有关，并关注组件随时间推移的劣化方式，具体取决于应用的存储条件。 本部分还包括有关可用于评估一般劣化机制的测试方法的指南。 通常，该部分与 IEC 62435-1:2017 结合使用，用于任何设备的长期存储，对于计划长期存储的产品，其持续时间可能超过 12 个月。

完整英文版 IEC 62435-3：2020 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 3：Data（电子元件-电子半导体器件的长期存储-第3部分：数据）。IEC 62435-3:2020 描述了数据存储的各个方面，这些方面对于成功使用长期存储的电子元件同时保持可追溯性或监管链是必不可少的。 它定义了需要与组件或芯片一起存储的数据类型以及这样做的最佳方式，以避免在存储期间丢失数据。 根据本文件的定义，长期储存是指计划长期储存的产品的持续时间可以超过 12 个月。 还讨论了促进电子元件成功长期储存的理念、良好的工作实践和一般方法。

完整英文版 IEC 62435-4：2018 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices-Part 4：Storage（电子元件-电子半导体器件的长期储存-第4部分：储存）。IEC 62435-4:2018 规定了长期存储电子元件的长期存储方法和推荐条件，包括与存储设施相关的物流、控制和安全。 长期储存是指计划长期储存的产品的持续时间可能超过 12 个月。 还讨论了此类存储的理念、良好的工作实践和促进成功长期存储电子元件的一般方法。