MOSFET数据手册详细解读，电子电气工程师必知必会，电子学基础

从英飞凌的网站上下载的SPICE模型，将其转换为Saber可用的MAST模型

功率MOSFET管构成的功率放大器电路 +原理图+论文

浅析MOSFET同步整流BUCK的电流时序

比较MOSFRT 和IGBT区别，在实际应用的优缺点

驱动大的功率管Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。

所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平MOS管 漏极电流值(ID) 和总耗散功率都在这部分给出。这 些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书 的给定的条件很难达到（见极限值部分）。在大多数 应用中，可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值 要低。限于所用的散热装置，大多数工程师所能接受 的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温(TJ) 通常给出的是150 C ˚ 或者175 C ˚ 。器件内部温度不 建议超过这个值。

MOSFET 结构， 可用devedit编辑，或者用deckbuild进行仿真运行