1、C中内存分为四个区 栈：用来存放函数的形参和函数内的局部变量。由编译器分配空间，在函数执行完后由编译器自动释放。 堆：用来存放由动态分配函数（如malloc）分配的空间。是由程序员自己手动分配的，并且必须由程序员使用free释放。如果忘记用free释放，会导致所分配的空间一直占着不放，导致内存泄露。 全局区：用来存放全局变量和静态变量。存在于程序的整个运行期间，是由编译器分配和释放的。 文字常量区：例如char *c = “123456”；则”123456”为文字常量，存放于文字常量区。也由编译器控制分配和释放。 程序代码区：用来存放程序的二进制代码。

1、8个独立按键 人机接口输入部分重要模块，自由连接，不受硬件限制。带上拉电阻，方便各种MCU控制。 1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明 接口编号为JP69，分别为K1、K2、K3、K4、K5、K6、K7、K8。 控制的按键分别为：K1-K1、K2-K2、K3-K3、K4-K4、K5-K5、K6-K6、K7-K7、K8-K8. 2、4X4矩阵键盘 可以学习行列扫描、反转扫描、定时扫描、中断扫描，键盘标识齐全，按照标准计算器排列方式。带上拉电阻，方便各种MCU控制。 1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明 接口编号为JP29，分别为L1、L2、L3、L4、H1、H2、H3、H4。 分别对应矩阵键盘的第1行、第2行、第3行、第4行、第1列、第2列、第3列、第4列。 3、 5向摇杆按键 五向摇杆按键，可以方便实现上下左右方向控制。 1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明 接口编号为JP39，分别为F1、F2、F3、F4、F5。 分别摇杆的的上、左、下、右、中。

1、 单色流水灯 发光二极管(Light-emitting diode,LED)是一种半导体元件。初时多用作指示灯（如电源指示灯、状态指示灯）和显示灯等。本板配备8个0805贴片绿色发光二极管，可以做流水灯、花样灯以及简单显示输出实验 1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明 接口编号为JP15，共8个输入端口，分别为I1、I2、I3、I4、I5、I6、I7、I8。 控制的LED灯分别为：I1-L1、I2-L2、I3-L3、I4-L4、I5-L5、I6-L6、I7-L7、I8-L8. 2、 彩色流水灯 6个直彩色流水灯，2组分别为红、黄、绿色，可以做彩色流水灯、交通灯等相关实验。 1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明 接口编号为JP13，共6个输入端。分别为I1、I2、I3、I4、I5、I6. 控制的彩色灯分别为：I1-L9、I2-L10、I3-L11、I4-L12、I5-L13、I6-L14. 4) 实验现象 3、 红绿双色灯 一个2脚双色LED，通过2个引脚控制显示红绿双色 。 1) 原理图 2) 实物

1、 LCD1602液晶接口 LCD1602标准插座，带独立的对比度调节电位器，即插即用，针对标准液晶，实现多种模式显示，如移动显示、滚动显示、光标显示、逐字输入。1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明模块中的插座为LCD1602液晶屏的接口。此接口提供的正电压为5V，对于有些额定电压为+3V的LCD1602液晶屏不支持，误插容易烧毁+3V液晶屏。这点需要注意。模块的数据输入端为JP33，8位并行数据模式。模块控制端口为JP31。RS：数据/命令选择端。RW：读/写选择端。E：使能信号。4) 实验现象 背光亮度可以通过可调电阻R33调节 2、LCD12864液晶接口 LCD12864液晶标准插座，带独立的对比度调节电位器，样例针对ST7920字库液晶编写，如写入用户自编图形或者字符，显示图片，菜单控制等。1) 原理图 2) 实物图 3) 接口说明模块中的插座为LCD12864液晶屏的接口。此接口提供的正电压为5V，对于有些额定电压为+3V的LCD2864液晶屏不支持，误插容易烧毁+3V液晶屏。这点需要注意。模块的数据输入端为JP41，8位并行

1.设备描述符的详解及改造 2.设备配置指导

1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N

1.光敏 2.火焰 3.霍尔传感器

//烧写uImage: tftp 0x30800000 uImage nand erase 0x40000 0x1C0000 nand write 0x30800000 0x40000 0x1C0000 // 将sdram 0x30800000位置处的数据写到nandflash的0x40000位移处,写入大小为0x1C0000

从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。

启明星辰公司天清汉马防火墙中独特的网关病毒过滤功能，可以通过防火墙和网关病毒过滤的协同工作，有效地防治和查杀病毒，让企业不再承受病毒之苦。