黑色磷半导体纳米带中电荷迁移率的第一性原理预测

用交叉束技术研究了He~+-Cd和He~+-Zn的电荷转移碰撞光谱。得到的结果可以分成两部分:1.证实了在能量亏损小于leV时存在着共振的碰撞截面,符合已有的理论计算;2.发现这种碰撞能强烈地激发Cd~+的4d~95s~2组态和Zn~+的3d~94s~2组态,对应的能量亏损远大于1eV。因此,电荷转移碰撞对Cd~+的441.6和325.0nm及Zn~+的747.9和589.4nm的激光谱线有重要的贡献。讨论了这种反常贡献的起因,认为共振的电荷转移碰撞和接着的级联跃迁可能是主要的激发机构。

SC4004是一种低噪声，恒定频率（1.2MHz）开关电容倍压器。 它产生一个稳定的输出电压2.7V至5V输入，输出高达250mA。 外部零件数量少（一个飞行电容器和两个小旁路电容器VIN和VOUT）使SC4004成为理想之选，用于小型电池供电应用。

本文主要回顾了石墨烯量子点的制备以及基于石墨烯量子点自旋和电荷量子比特操作的研究进展, 由于石墨烯材料相对较轻的原子重量使其具有较小的自旋轨道相互作用, 另外含有核自旋的碳同位素13C在自然界中的含量大约只占1%, 这使得超精细相互作用(即核自旋和电子自旋相互作用)较弱, 所以石墨烯比其他材料具有较长的自旋退相干时间, 在量子计算和量子信息中有非常好的应用前景. 本文计算了5种静电约束制备的石墨烯量子点:1) 扶手型单层石墨烯纳米条带, 2) 单层石墨烯圆盘, 3) 双层石墨烯圆盘, 4) ABC 堆积型三层石墨烯圆盘, 5) ABA堆积型三层石墨烯圆盘. 石墨烯量子点中自旋比特应用的关键是破坏谷简并, 在1)中, 主要是利用边界条件破坏谷简并, 而2)3)4)和5)中是利用外磁场破坏谷简并. 文章进一步介绍了自旋轨道相互作用和超精细相互作用对石墨烯量子点中自旋操作的影响.

具有超强电荷累积效应的新型高品质SOI SJ LDMOS

基于非Kolmogorov谱模型和广义惠更斯-菲涅耳原理，以双曲余弦高斯(ChG)涡旋光束为例，对部分相干ChG涡旋光束在非Kolmogorov大气湍流传输中拓扑电荷的守恒距离做了详细的研究。研究表明，广义结构常量C～2n越大，广义指数参量α越小，湍流内尺度l0越小，空间相关长度σ0越小，束腰宽度w0越大，则拓扑电荷守恒距离越小，而湍流外尺度L0和双曲余弦部分参数Ω0对拓扑电荷守恒距离无影响。

电荷交换复合光谱诊断（CXRS）是在核聚变装置上测量离子温度和旋转速度分布的常规诊断方式之一。通过测量等离子体中完全电离的碳离子（C6+）与高能中性氘之间发生电荷交换辐射出的碳谱线（C VI， 529.059 nm，n=8→7）的多普勒频移来计算C6+的速度，而准确测量的前提是波长的精确标定。介绍了东方超环托卡马克装置（EAST）上CXRS系统的离线波长标定和实时波长标定方法，详细分析了二者的优缺点，针对EAST等离子体及CXRS诊断现状提出了一套应用激光（波长为532.1 nm）作为波长实时标定光源的方案，同时对该方法的有效性进行了仿真分析及实验验证。结果表明使用该方案和利用常用标准灯得到的标定结果一致。

包含《锁相环讲解及simulink仿真》一文中用到的参考文献及simulink工程文件。可以直接仿真使用，可以先阅读一下对应的博客文章在考虑下载。博客链接https://blog.csdn.net/qq_38496973/article/details/107806242

目前，降低功耗已成为超大规模集成电路的一个重要的发展方向。而通过降低片上系统电源电压来降低功耗是目前普遍使用的一种方法。为了给存储器的编程、擦写过程提供高电压，必须在低电源电压的输入状态下提高电荷泵的输出电压，但也导致每级电荷泵节点电压大幅上升，使得MOS体效成为降低电荷泵输出效率的主要因素。本文设计了一种四相位电荷泵电路，消除了MOS体效应导致的阈值电压上升的影响，提高了电荷泵电路的电压增益。在相同的低电源电压下，本文所设计的电荷泵电路可以大幅的减少电荷泵的级数和所消耗的芯片面积，该电路特别适用于低电源电压下工作的嵌入式快闪存储器。

基于AD8601的电荷放大器的设计