为研究注工艺对采空区自燃带划分的影响,根据对星村煤矿3号煤层采空区5个测点所测指标气体浓度变化规律进行分析,提出了注影响条件下的采空区自燃五带划分方法,即:散热带、受注影响产生的自燃带、窒息带、注结束后产生的自燃带和窒息带。研究表明:受注影响产生的自燃带和窒息带范围会发生转移,成为自燃易发区域;提出了基于指标气体的SPSS相关性分析判定注影响的采空区范围,结果表明,注过程中进风侧2、4号测点周围指标气体与注量相关性强,该区域受注影响较大;位于采空区进回风巷侧的1、5号测点附近,注影响较弱;相关性分析注影响区域与现场实测一致。
2021-05-31 20:50:11 416KB 行业研究
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完整英文电子版JEDEC JEP180.01:2021 Guideline for Switching Reliability Evaluation Procedures for Gallium Nitride Power Conversion Devices (化镓功率转换器件的开关可靠性评估程序指南 )。本文档供GaN产品供应商和相关电力电子行业使用。 它为评估GaN电源开关的开关可靠性并确保其在功率转换应用中的可靠使用提供了指导原则。 它适用于平面增强模式,耗尽模式,GaN集成电源解决方案和共源共栅GaN电源开关。
2021-05-29 09:02:28 1.19MB JEDEC JEP180.01 氮化镓 功率转换器件
以重庆市忠县水土保持试验站为研究平台,对小区尺度下“大横坡+小顺坡”耕作模式对氨及径流流失的影响进行研究,结果表明:与全顺坡模式比较,6 m顺坡+2 m横坡模式,5 m顺坡+3 m横坡模式和4 m顺坡+4 m横坡模式径流量分别减少了41.74%,45.84%和59.63%;在总氨流失上,在降雨历时为6.62~16. 32 h,3种“大横坡+小顺坡”耕作模式之间无显著差异,当降雨历时小于5.12 h时,4 m顺坡+4 m横坡模式与其他3种模式差异性显著,以4m顺坡+4m横坡模式保持总氨效果最好,其中当降雨历
2021-05-26 10:03:39 948KB 自然科学 论文
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景观-活性污泥生态系统的构建及磷转移规律的定量分析 The Establishment of Landscape-Activated Sludge Ecological System(LASeM) and the Quantitative Analysis of the Transfer Law of Nitrogen and Phosphorus
利用冷媒水降低制装置预冷空气温度
PSA系列制机使用说明书
2021-05-21 11:02:16 932KB PSA系列制氮机使用说明书
case变压吸附制配置参数
2021-05-21 11:01:31 591KB case变压吸附制氮技术参数
以间苯二甲酸为原料合成了5-[4-(乙氧基)苯基偶]-1,3-苯二甲酸二乙酯,分别与1,3-丙二醇、1,6-己二醇和聚乙二醇-400熔融聚合得到了3种新型含有偶苯结构的线型聚酯(P1~P3),采用IR、UV-vis、1H NMR、SEC 和TG-DTA等对聚酯结构和性能进行了表征.聚酯(P1~P3)易溶于THF、CHCl3等有机溶剂,特性黏度分别为0.5146、0.463 9、0. 565 7 dL/g,Mw分别为39 200、34 983、45 507 g/mol,5%失重温度分别为287、276、
2021-05-19 16:04:46 166KB 自然科学 论文
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本文件规定了通过使用原料氨或离解氨来进行气体化低合金钢和工具钢的程序和要求。其他合金和钢族(例如,不锈钢)也可以使用公认的工程组织可接受的参数进行化。
2021-05-14 09:03:01 4.65MB AMS 2759/6C 低合金钢 气体
150W, AC-19.5VDC PFC+LLC Demo Board This design uses a Critical Conduction Mode (CrCM/DCM) PFC (AC-400 VDC), followed by an LLC DC-DC (400-19.5 VDC). For both stages, the switching frequency was increased to the maximum allowed by the off-the-shelf control ICs available. The board is designed to be a ‘demonstration’ board, and is not yet optimized as a production design. With this design, a power density of 1.56 W/cc or 25.5 W/in3 is achieved, which is around 2x typical and 40% more than the best-on-class Si-based design today. Customer designs are expected to achieve even higher power density.
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