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此模型的第一部分计算由硅玻璃制成的阶跃折射率光纤的模式。 第二部分则分析了一个弯曲到 3 毫米半径的阶跃折射率光纤，研究其传播模式和辐射损耗。模型显示如何找到功率平均模式半径，以及如何用来计算有效模式折射率。

完整英文版IEC 60034-2-3：2020 Rotating electrical machines - Part 2-3：Specific test methods for determining losses and efficiency of converter-fed AC motors （旋转电机-第2-3部分：确定变频器供电的交流电机的损耗和效率的具体测试方法 ）。EC 60034-2-3:2020规定了测试方法和插值程序，用于确定IEC 60034-1:2017范围内变流器供电电机的损耗和效率。然后，该电机是IEC 61800-9-2:2017中定义的变频电力驱动系统（PDS）的一部分。

自己编写的ITU-R 1546传播模型。

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高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

供热公司可实现集中化智能管理，节能损耗，最大力度的为城市居民提供供热服务。