集成电路工艺:The Submicron MOSFET An understanding of device physics has become even more important that MOSFETs have crossed the long-channnel frontier into the submicron realm.
2021-09-23 16:19:06 36.58MB Silicon Technolo
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2021-09-17 14:03:19 282.73MB MOSFET 栅极应用电路分析
LTspice Infineon NMOS库 更新: LTspice英飞凌NMOS库是一个半完整的英飞凌功率N沟道MOSFET套件,最高功率为950V,截至2021年1月的电流。 它缺少功率模块,双MOSFET等奇数符号。 它使用Infineon的公共库,但包含本机LTSpice符号,从而易于使用和安装。 如果可用,它将使用其本机LTSpice库,但如果不使用,则将使用PSpice库。 LTSpice的PSpice库没有问题。 不幸的是,没有包含加密符号,但是只有少数英飞凌模型使用加密,因此这并不是一个太大的问题。 当前的型号和符号计数: 3849个N沟道MOSFET和计数。 安装 下载。 解压缩下载的文件。 苹果系统: 复制LTspiceInfineonNMOSLibrary/sym/InfineonNMOS文件夹进入~/Library/Application\ Suppo
2021-09-17 09:06:44 3.05MB Ruby
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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
2021-09-16 18:03:48 432KB Mosfet MOS管
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行业资料-电子功用-具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET.pdf.zip
2021-09-13 22:01:33 840KB
行业资料-电子功用-具有用于避免反向电流的后栅极浮动型MOSFET的电动机驱动装置
2021-09-13 17:04:11 363KB
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在带变压器的开关电源拓扑中,开关管关断时,电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分,同时,由于电路中存在杂散电感和杂散电容,在功率开关管关断时,电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰电压过高,就会损坏开关管。同时,振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压,需要在开关管两端并联缓冲电路以改善电路的性能。缓冲电路的主要作用有:一是减少导通或关断损耗;二是降低电压或电流尖峰;三是降低dV/dt或dI/dt。由于MOSFET管的电流下降速度很快,所以它的关断损耗很小。虽然MOSFET管依然使用关断缓冲电路,但它的作用不是减少关断损耗,而是降低变压器漏感尖峰电压。本文主要针
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大牛带你了解MOSFET与IGBT的本质区别:讲解了MOS与IGBT的根本区别,对理解MOS特性很有帮助
2021-09-11 12:31:38 2.49MB MOS 开通特性
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MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制,对米勒平台震荡的原因进行了详细分析,并提供了一些解决经验。
2021-09-05 15:48:04 733KB MOSFET 米勒平台 米勒震荡
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SiC MOSFET在电动汽车领域的应用.pdf