本文介绍了变容二极管在LC振荡器中的应用

碳化硅半导体材料与器件，主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容

摘要：利用噪声和信噪比的理论公式及等效电路模型，分析光电二极管检测电路噪声产生的原因．给出低噪声光 电检测电路的设计原则，并设计基于光电二极管低噪声前置放大电路．结果表明：光电二极管的噪声主要是光转换器件 内部电阻及PN结中载流子随机涨落引起的热噪声和散粒噪声，该噪声与光电二极管结构、材料、温度、工作电压及外部 环境的干扰有关；前置放大电路的噪声主要与前置放大器的噪声电压、噪声电流、温度变化及反馈电阻有关

二极管包络检波仿真和文档

大数据-算法-非线性二极管与量子点热机的性能分析.pdf

本文主要介绍了工程师必知的两例汽车电源总线防护方案及TVS二极管选型。

一、应用背景： 1．汽车点火开关、继电器触点、交流发电机、燃油喷射器等产生电磁干扰； 2．直接影响车内电子模块； 3．汽车电子必须通过I OS7637-2电源线应用相关标准。

pin光电二极管原理 PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。 在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的I型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。 PIN光电二极管结构 在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中。 pin光电二极管i层作用 本征层的引入，明显增大了p+区的耗尽层的厚度，这有利于缩短载流子的扩散过程。耗尽层

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

雪崩二极管原理 雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电荷区的电场在N+P处最大。假定在N+P结附近一个小区域内，电场强度超过了击穿电场，则在这个区域内就发生雪崩击穿。发生雪崩击穿的这一区域称为雪崩区。在雪崩区以外，由于电场强度较低，因而不发生雪崩击穿。载流子只在电场作用下以一定的速度作漂移运动。载流子作漂移运动的区域称为漂移区。载流子通过漂移区所需要的时间称作渡越时间。下面来分析一下雪崩二极管产生微波振荡的过程。 如果在二极管上所加的反向电压上迭加上一个交变电压。在交变电压正半周内，雪崩区中的电场大到足以发生碰撞电离而产生大量的电子一空穴对。其中电子很快被电场扫入N+区，而空穴则以一定速度进入漂移区。进入漂移区的雪崩电流变化情况。随着交变电压的增大，进入漂移区的雪崩电流将迅速增大。当交变电压从最大值逐步减小时，雪崩电流不但没有减小反而继续增大。而且可以看出，当交变电压减小到零时，雪崩电流达到最大值。这是因为由于雪崩现象所产生的电