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该 m 文件提供了有关一些半导体基本原理的信息，即费米-狄拉克积分、能带隙与温度的关系、本征载流子密度以及作为温度和掺杂浓度函数的 Si、Ge 和 GaAs 中的费米能级位置（在这些图中，还显示了带隙和费米本征能级对温度的依赖性。 对于费米能级的计算，电荷中性方程通过假设费米-狄拉克统计而不是麦克斯韦-玻尔兹曼统计进行数值求解。 由于上述原因，该程序可用于计算非简并或简并半导体的费米能级位置。 可以将掺杂浓度更改为 Fermi_Level.m（第 9 行）中的特定值。 期刊： 参考文献 1：固态电子学，25, 1067 (1982) 参考文献 2：半导体物理电子学，Sheng S. Li。 pp 89 参考文献 3：Physica Status Solidi(b) vol。 188, 1995, 第 635-644 页图书： 半导体物理电子第二版。 斯普林格李盛生先进半导体基础第二版。

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