该资料详细介绍了国外厂家生产的场效应管的参数。可供使用者方便查阅。

这是一个大功率高频MOSFET驱动电路，望对相关学者有用！

MOSFET开通过程分析---米勒平台的形成过程：详细讲解了MOS管开通过程，对米勒平台如何形成做出了详细解释

英飞凌 SOA 曲线 图解说明

BUCK电路的最佳驱动设计(NPN的MOSFET)pdf,BUCK电路的最佳驱动设计(NPN的MOSFET)

平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：RDS(on) = Rch + Repi + Rsub图1：传统平面式MOSFET结构图2显示平面式MOSFET情况下构成RDS(on) 的各个分量。对于低压MOSFET，三个分量是相似的。但随着额定电压增加

设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。

MOSFET Vds 电压测试注意事项docx,开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一，也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因：一个是温度，一个是Vds电压超标。

汽车级完全可配置 8 通道高/低侧 MOSFET L9945 使用总结

MOSFET管优势 　　1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 　　2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 　　3.可以用作可变电阻。 　　4.可以方便地用作恒流源。 　　5.可以用作电子开关。 　　6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。