等离子体等离子体在硅基底上的光散射

氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响

三重窄带等离子体完美吸收体，用于光频率的折射率传感应用

为了对激光等离子体偏振状态进行诊断，研究了X射线偏振度的测量方案及推算方法，利用两台晶体谱仪分别在相互正交的两方向对等离子体辐射的X射线进行探测，以确定其偏振度。光谱仪采用PET晶体作为分光器件，成像板接收X射线光谱信号，其接收面积为15 mm×35 mm，在2×10 J激光装置上进行了偏振检测实验。实验结果表明在两方向同时得到Al的类He谱线及类Li伴线，依据类He共振线w及互组合线y两方向光谱相对强度计算出共振线偏振度数据，利用不同发次实验分析入射激光能量和X射线偏振度的关系，探索了X射线偏振度对激光等离子体电子温度诊断的影响。

本文研究了激光等离子体中与光电效应相联系的自生磁场,在s偏振光斜入射到静止等温等离子体的情况下,得到了时间上和空间上调制的自生磁场的解析解.

通过反复校正等离子体温度和光谱强度，对合金中主要和次要元素进行准确的定量CF-LIBS分析

设计了一种基于表面等离子体共振(SPR)的光纤温度传感器。将单模光纤和多模光纤端面研磨成楔形并进行拼接，在单模光纤的研磨面上镀制厚度为50 nm的金膜以形成Kretschmann结构，然后涂覆一层聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为温度敏感介质来实现温度传感。实验结果表明：当温度为20~70 ℃时，该传感器的灵敏度的绝对值最大可达到4.15 nm/℃，远大于其他类型的光纤温度传感器的灵敏度；与其他SPR光纤温度传感器相比，该传感器具有更窄的半峰全宽和更优的品质因数；该传感器具有较高的稳定性，其最大的温度标准差为0.14 ℃。该传感器结构简单，制作成本低廉，有望在工业领域内得到广泛应用。

在大气环境下利用脉宽为30 fs,波长为800 nm的飞秒激光,测定了激光诱导Ni等离子体的时间分辨发射光谱。由测定的谱线相对强度得到了等离子体的电子温度以及电子温度的时间演化特性。同时,还测定了等离子体中Ni原子发射光谱线斯塔克展宽和斯塔克线移的时间演化特性。结果表明,当延时在110-610 ns范围内变化时,等离子体的电子温度变化范围为7500-4500 K,这与纳秒激光诱导等离子体的动力学特性有很大的不同。

研究了一种对数螺线柱面晶体配接针孔对Z箍缩铝等离子体进行单色谱成像的摄谱成像仪，摄谱仪具有结构简单、外形尺寸紧凑的特点。由于对数螺线晶体的保角特性，摄谱成像仪可在较大视场范围内对Z箍缩内爆等离子体进行单色谱成像。在“阳”加速器上，针对Z箍缩铝等离子体K壳层的X射线辐射进行了成像实验，得到了铝丝阵内爆等离子体的类氢(1727.7 eV)和类氦线(1588.3 eV)单色图像。在箍缩单色图像上观察到了磁瑞利泰勒不稳定性引起的“热点”及内爆不稳定性造成的螺旋形结构，反映了等离子体的内爆形态，为进一步理解Z箍缩物理过程和确定等离子体的辐射特性提供了参考。

提出一种无源电检测装置，对A304不锈钢YAG激光焊接过程中的等离子体电信号进行检测，并利用高速摄像机对等离子体的形态进行观察。结果表明，不同焊接模式下的等离子体电信号具有不同的时域特征。对不同焊接模式下的等离子体电信号特征进行理论与试验分析，发现等离子体电信号受等离子体效应和鞘层效应的共同影响;小孔的形成与否是造成不同焊接模式下等离子体电信号特征不同的决定性因素。