大功率SiC MOSFET逆变器驱动技术pdf,本文介绍了SiC-MOSFET应用的问题点，SiC-MOSFE驱动电路问题点的解决，原理框图，常规驱动方案的问题点及解决等。

大功率LED的驱动电路设计(PT4115应用)

本驱动采用大功率驱动芯片BTS7960组成的全H桥驱动模块，具有过热过流保护功能。双BTS7960 H桥驱动电路，具有强劲的驱动和刹车效果，有效隔离单片机与电机驱动！大电流43A！ 电机驱动模块BTS7960实物展示: 特点: 1、双BTS7960大电流(43A)驱动； 2、与单片机5V隔离，有效保护单片机； 3、能够实现电机正转反转，两路PWM输入最高25kHZ频率； 4、两路过流过热报错信号输出； 5、隔离芯片5V电源（可以与单片机共用5V）； 6、电源电压5.5V至27V； 电气特性: 实物购买链接:https://detail.tmall.com/item.htm?id=41254747548&a... BTS7960 驱动模块原理图截图:

这是一个大功率高频MOSFET驱动电路，望对相关学者有用！

全球能源短缺和大气污染问题日益严峻，汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作 为领先的功率半导体厂商之一，罗姆一直致力于技术创新，研发各种高效、高品质的功率器件，为大功率智能充电站提供安 全可靠的解决方案，在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。

随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V；最大电流20kA，能实现4个象限的运行。

宿舍限制大功率电器的原理及破解方案的探究(希望大家会用到) 主要是针对智能限电系统，其实很多学校是平均功率限电的。串个二极管就行了

OPA549\数控大功率精密恒流源设计OPA549\数控大功率精密恒流源设计,很好的资源会有帮助的。

MP-6V-04S大功率单火开关电源模块电路图.pdf

电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义，在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制，另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构，利用Comsol软件仿真模拟侧向限制，发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100 μm的位置刻蚀深度为4 μm的深隔离槽。实验结果表明，工作电流为5 A时，腔长4 mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为 3.6 W，阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95 A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。