初中考试作文得高分6个秘诀.doc

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一、函数与极限 1.1 映射与函数 1.2 数列的极限 1.3 函数的极限 1.4 无穷小与无穷大 1.5 极限运算法则 1.6 极限存在准则及两个重要极限 1.7 无穷小的比较 1.8 函数的连续性与间断性问题 二、导数与微分 2.1 导数概念 2.2 求导法则 2.3 高阶导数 2.4 函数微分 2.5 隐函数及参数 三、微分中值定理与导数的应用 3.1 中值定理 3.2 L'Hospital法则 3.3 函数单调性与凸凹性 3.4 函数的极值与最值 3.5 函数图形的描绘方法 3.6 曲率 四、不定积分 4.1 不定积分概念与性质 4.2 换元积分法 4.3 不定积分的分部积分法 ...

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

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