用最为浅显的理论去分析超级电容器动态均压的原理,并解释关键元件的参数选择。通过该分析,不仅能让读者了超级电容解动态均压的原理,还能展示理论分析对实践的指导作用。
2023-03-03 21:02:46 550KB 超级电容 均压 动态均压
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基于SOG(Silicon on Glass)工艺设计了一种新型电容式加速度传感器结构,分析了该结构的检测和反馈原理.为了提高闭环微加速度传感器的性能,更好地实现闭环控制调节作用,对传感器系统进行了研究.在反馈系统中引入PID控制器,并建立了SIMLINK系统模型,分析了系统闭环传递函数以及控制参数对传感器系统的影响.仿真结果表明:PID控制器可以很好地改善系统的频率响应,增加系统带宽,调节系统的阻尼,减小系统的响应时间和调节时间,大大提高了闭环加速度计的性能.
2023-03-03 16:05:15 1001KB 自然科学 论文
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ST提供的解决方案包含了触摸面板自校准、软件滤波、软件过零点检测及环境自适应等功能,尽可能地使用软件算法去屏蔽各种复杂环境的干扰,具有低成本及工作可靠等特点。
2023-02-28 19:51:47 203KB 电磁干扰 STM8S105S4 MCU 电容触摸屏
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该电容传感器是基于CC2530单片机设计的,对于其他单片机设计思路基本一样,只是程序需要根据不同单片机进行修改编写。 该文件包含:cc2530IAR外部电压的采集、cc2530IAR随机电压的产生、Multisim电路仿真、传感器信号调理电路AD,PCB,BOOM表、上位机界面显示
2023-02-28 14:36:17 2.5MB 电容传感器 单片机
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这个图比较简单。三极管T1为开关管,C2为反馈电容,R1、R2为启动电阻,C1可控制振荡频率,兼有启动之用。C3为电源滤波电容。
2023-02-26 21:03:04 46KB 电源滤波电容 三极管 变压器 文章
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电容式湿度传感器设计.rar
2023-02-24 10:13:58 80KB 电容式 湿度 传感器设计 rar
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tsmc关于mim电容的介绍
2023-02-21 22:54:42 2.2MB tsmcdesignrule
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(3) 建议的负载电容与对应的晶 体串行阻抗(RS) (4) RS = 30Ω 30 pF i2 HSE驱动电流 VDD=3.3V,VIN=VSS 30pF负载 1 mA gm 振荡器的跨导 启动 25 mA/V tSU(HSE) (5) 启动时间 VDD是稳定的 2 ms 1. 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。 2. 由综合评估得出,不在生产中测试。 3. 对于CL1和CL2,建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5pF~25pF之间的瓷介电容器,并挑选符合要 求的晶体或谐振器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 在选择CL1和CL2时,PCB和MCU引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引脚与PCB板的电容按10pF估计)。 4. 相对较低的RF电阻值,能够可以为避免在潮湿环境下使用时所产生的问题提供保护,这种环境下产生的泄漏和偏 置条件都发生了变化。但是,如果MCU是应用在恶劣的潮湿条件时,设计时需要把这个参数考虑进去。 5. tSU(HSE)是启动时间,是从软件使能HSE开始测量,直至得到稳定的8MHz振荡这段时间。这个数值是在一个标准 的晶体谐振器上测量得到,它可能因晶体制造商的不同而变化较大。 图21 使用8MHz晶体的典型应用 1. REXT数值由晶体的特性决定。典型值是5至6倍的RS。 使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的 信息是基于使用表24中列出的典型外部元器件,通过综合特性评估得到的结果。在应用中,谐振器 和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振 器的详细参数(频率、封装、精度等),请咨询相应的生产厂商。(译注:这里提到的晶体谐振器就是 我们通常说的无源晶振) 注意: 对于CL1和CL2,建议使用高质量的5pF~15pF之间的瓷介电容器,并挑选符合要求的晶体或谐振器。 通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 负载电容CL由下式计算:CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray,其中Cstray是引脚的电容和PCB板或PCB 相关的电容,它的典型值是介于2pF至7pF之间。 警告: 为了避免超出CL1和CL2的 大值(15pF),强烈建议使用负载电容CL≤7pF的谐振器,不能使用负载电 容为12.5pF的谐振器。 例如:如果选择了一个负载电容CL=6pF的谐振器并且Cstray=2pF,则CL1=CL2=8pF。 参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 (本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准) 42/87
2023-02-18 19:29:00 2.84MB STM32
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为了实现电子产品的电容式触摸输入方式,提出了一款基于TTP229的电容式触摸键盘系统的设计方案,并完成了键盘系统的软硬件设计。该键盘被设计成一个独立模块,硬件部分实现按键检测上传信息等功能,软件部分实现键盘按键事件处理等功能。在实际应用中表明,该键盘系统使用简单方便,用户使用自由度较高,可移植性较强,能够满足多数电子产品的使用需求,达到了设计要求。
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扩展电容数字转换器AD7745-AD7746的容性输入范围
2023-02-08 22:36:58 351KB 扩展电容 数字转换器 AD7745 AD7746
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