取向良好的Sm掺杂SnO2纳米阵列的表面缺陷和气敏性能

Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25Nd0.75Ti3O12（BNT）薄膜使用脉冲激光沉积技术沉积在Pt / Ti / SiO2 / Si（100）衬底上。 通过原子力显微镜（AFM）和压电力显微镜（PFM）研究了表面形貌，铁电畴结构和极化转换。 PFM的相位和幅值图像表明BIT和BNT薄膜具有清晰的畴结构。 表面形态和畴结构的比较表明，晶界限制了畴的形状并影响了畴结构。 微机电性能由薄膜的有效压电系数d33，f表征。 结果表明，BNT薄膜的最大有效d33，f值（100 pm / V）大于BIT薄膜的最大有效d33，f值（30 pm / V）。 这可以归因于具有优选的a轴生长方向的BNT薄膜，从而导致d33，f的有效增强。 此外，所有薄膜均显示出良好的光学透射率。在500–800 nm的范围内，由于Nd掺杂，带隙从3.43 eV增加到3.52 eV。

以钨为掺杂剂的氧化铟基薄膜晶体管的研究

通过将金纳米颗粒掺杂到TiO2阴极缓冲层中来改善倒置聚合物太阳能电池的性能

基于原子层沉积的PbS掺杂石英光纤材料的光学性能

氮掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及其光催化性能

Nd-3-H掺杂磷酸盐玻璃中的光学平面波导是通过以6.0 x 1014离子/ cm2的剂量注入6.0-MeV碳离子和以6.0x 1014离子/ cm的注入量注入6.0-MeV氧离子制造的（ 2）。 引导模和相应的有效折射率是通过模态2010棱镜耦合器测量的。 基于物质中离子的终止和范围以及RCM反射率计算方法，分析了波导的折射率分布。 分别通过端面耦合法和有限差分光束传播法测量并模拟了近场光强度分布。 进行了碳注入波导和氧注入波导的光学特性的比较。 微发光和拉曼光谱研究表明，Nd 3-离子的荧光性质和玻璃微结构在波导区域中得到了很好的保留，这表明碳/氧注入波导是集成光子器件的良好候选者。 （C）2015年光电仪器工程师协会（SPIE）

我们首次向我们报告关于通过6.0 MeV碳注入和6.0 x 10（14）离子/ cm（2）剂量的Er3 + / Vb（3+）共掺杂硅酸盐玻璃制造平面波导的报道）。 导光性能通过He-Ne光束的棱镜耦合和端面耦合方法进行测量。 平面波导的折射率分布是通过反射率计算方法重建的，该方法显示了典型的“增强阱+光学势垒”分布。 微发光和拉曼研究表明，通过将碳注入波导中，整体特征不会显着劣化，从而展示了集成有源光子器件的可能应用。 由Elsevier BV发布

基于双腔光纤布拉格光栅的稳定无源Q开关和增益开关Yb掺杂全光纤激光器

基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明，Ge 原子占据Si 位后能量更低，更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据，而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入，导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。比较介电常数发现，对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC 简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。