3.1 标准应用电路
47R
47R
LS
VCC_IO
TMC5160
SPI interface
CSN
SCK
SDO
SDI
reference switch
processing
R
E
F
L
/S
T
E
P
R
E
F
R
/D
IR
DIAG / INT out
and
Single wire
interface
5V Voltage
regulator
charge pump
22n
100V
100n
16V
DIAG0/SWN
CLK_IN
DIAG1/SWP
+VM
5VOUT
VSA
2.2µ
+VIO
D
R
V
_
E
N
N
G
N
D
D
G
N
D
A
T
S
T
_
M
O
D
E
D
IE
P
A
D
VCC
opt. ext. clock
12-16MHz
3.3V or 5V
I/O voltage
100n
100n
Controller
LS
stepper
motor
N
S
BMA2
Chopper
100n
SRAH
CE
Optional use lower
voltage down to 12V
2R2
470n
Use low inductivity SMD
type, e.g. 1210 or 2512
resistor for RS!
Encoder
unit
A B N
E
N
C
B
_
D
C
E
N
E
N
C
A
_
D
C
IN
E
N
C
N
_
D
C
O
Encoder input /
dcStep control in S/D
mode
S
D
_
M
O
D
E
S
P
I_
M
O
D
E
opt. driver enable
B.Dwersteg, ©
TRINAMIC 2014
RS
SRAL
LA1
LA2
HA1
HA2
BMA1
HS
HS
CA1
CB
CA2
CB
+VM
LS
LS
BMB2
SRBH
RS
SRBL
LB1
LB2
HB1
HB2
BMB1
HS
HS
CB1
CB
CB2
CB
+VM
Both GND: UART mode
C
P
I
C
P
O
V
C
P
V
S
11.5V Voltage
regulator
12VOUT
2.2µ
mode selection
Bootstrap capacitors CB:
220nF for MOSFETs with QG<20nC, 470nF for larger QG
470n
470n
Keep inductivity of the fat
interconnections as small
as possible to avoid
undershoot of BM <-5V!
RG
RG
RG
RG RG
RG
RG
RG
Slope control resistors RG: Adapt to MOSFET to yield slopes of roughly
100ns. Slope must be slower than bulk diode recovery time.
47R
47R
+VIO
pd pd pd
+VIO
图 3.1 标准电路
标准路使用最少的外部器件。根据所需的电流、电压和封装类型选择八个 MOSFET。两个采样电阻
设置电机线圈电流。请参阅第 8 章选择正确的采样电阻。电源滤波选用低 ESR 电容。为获得最佳性能,
建议功率桥附近线圈电流的最小容量为 100μF /安培。电容需要吸收斩波器操作产生的电流纹波。电源电
容上的电流纹波也取决于电源内阻和电缆长度。VCC _ IO 可以从 5VOUT 或外部电源(例如 3.3V 调节器)提
供。在 VM 高的应用中为了降低内部 5V 和 11.5V 稳压器的线性稳压器功耗,VSA 应该使用不同(较低)的
电源电压(参见第 0 章)。
基本布线提示
将采样电阻和所有滤波电容尽可能靠近功率 MOSFETs。 TMC5160靠近MOSFETs放置,短线互连线,
以最小化寄生电感。所有的 GND、GNDA、 GNDD 及采样电阻 GND,使用一个公共地。5VOUT 滤波电容
直接连到 5VOUT 和 GNDA 引脚。有关详细信息,请参阅布局提示。VS 滤波推荐使用低 ESR 电解电容。
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