在MDK5安装完成后，要让 MDK5 支持 STM32F1的开发，还要安装STM32F1的器件支持包：Keil.STM32F1xx_DFP.1.0.5.pack（STM32F1的器件包）
2021-05-25 16:36:16
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罗列了一些Spice Model相关的资料，从Device特性开始，到BSIM model的建模方法及其实践，针对于先进工艺节点，考虑更是良多，有些Paper对于IC设计有一定的指导作用，比如，随着温度，Length NFin Trend等等去指导和预估设计...
2021-05-25 16:02:36
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塞米控 培训，IGBT驱动相关设计及器件选型
IGBT驱动必须提供足够的栅极峰值电流
在栅极驱动回路应该保持较小的杂散电感
栅极/发射极电阻和栅极/发射极电容(像Ciss) 必须非常靠近 IGBT
关断状态必须有非常低的阻抗
高频电容必须非常靠近IGBT驱动放大器
不要使用双极晶体管作为放大器
保持栅极/发射极的距离以防止过压
2021-05-24 19:01:30
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Joel P. Dunsmore(auth.) - Handbook of Microwave Component Measurements_ With Advanced VNA Techniques (2012)
Agilent 院士级工程师的力作, 此为英文原版，国内有译本。
微波器件测量手册----矢量网络分析仪高级测量技术指南 Joel P. Dunsmore -电子工业出版社-2014
2021-05-23 22:44:03
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这个文档，包含EP4C40系列FPGA的所有引脚说明、布置图等。
这个文档，包含EP4C40系列FPGA的所有引脚说明、布置图等。
这个文档，包含EP4C40系列FPGA的所有引脚说明、布置图等。
2021-05-19 12:33:33
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4.3.2 NMOS工艺
由于电子的迁移率e大于空穴的迁移率h，即有e2.5h, 因而，N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍。那么，为什么MOS发展早期不用NMOS工艺做集成电路呢？问题是NMOS工艺遇到了难关。所以, 直到1972年突破了那些难关以后, MOS工艺才进入了NMOS时代。
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2021-05-18 19:44:03
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