基于0.15 μm栅长GaAs E-PHEMT工艺，设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题，采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络，将二次谐波短接到地，有效地提高了功率附加效率；通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响，输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配，拓展了电路的宽带特性。测试结果表明，该放大器在9~15 GHz工作频率内，连续波饱和输出功率大于28 dBm，功率附加效率为35%～45%，功率回退至19 dBm下时，IMD3小于-34 dBc，该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。

下载前阅读：https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/137593137 由于版权原因，很少有完整的ADS的PDK在网上流传的，网上CSDN里面一些台积电的PDK都是只能老版本ADS2008才能用，或者干脆是Cadence导出来的（Cadence导出PDK到ADS参考教程：https://bbs.eetop.cn/thread-890588-1-1.html），但是Cadence导出来的东西版图仿真好像不太行，我也没专门试过，感兴趣可以研究一下。 虽然其他厂家的PDK是保密有版权，但是ADS自己提供了一个DemoKit，是一个经典的射频MMIC的PDK，我用起来感觉和其他厂的差不多，就是版图生成的结构容易乱糟糟的，可以供大家研究学习的。在此使用ADS的DemoKit设计一个切比雪夫滤波器玩玩，非常简单又可以加深理解的好材料。

低噪放，功率放大器的相关MMIC论文，十分用心的整理，对于设计MMIC十分有帮助，适合新手

0  引  言 　　随着微波通信技术的发展，人们对通信系统的要求越来越高，比如小型化、可靠性等，微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性，成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一，当前，PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。本文的功率放大器便是采用PHEMT工艺技术，设计要求工作频段在3～4 GHz左右，其工作带宽要求大于500 MHz，要求信号线性特性好

微波集成电路入门必读

提出了一种用于测量微波信号功率的新颖结构。 它测量通过MEMS膜从CPW线耦合的微波功率。 在这种方法中，信号在功率检测期间可用。 功率传感器的制造与GaAs MMICCraft.io兼容。 给出了该传感器的设计，制造和实验结果。 实验结果表明，该传感器在12 GHz以下的反射小于-15 dB，插入损耗小于2.0 dB。 这种功率传感器在10 GHz频率下的总灵敏度为10.4νVmW-1。 ？ 2007 IOP出版有限公司

1.设计目标 　　FEM发射通道的设计着重于功率回退下实现高效率，以提供线性放大，这是5G通信系统提出的要求。功率回退下的目标功率附加效率(PAE)定为6%，三阶交调(IMD3)低于-35dBc(功率回退值：从1dB压缩点开始大约退回7dB)。对应1dB压缩点(P1dB)的RF输出功率定为20dBm。而接收通道需要在非常低的电流消耗下(15mA，+4V电源)，实现低于4dB的噪声系数(包括开关损耗)。 　　射频前端MMIC的功能框图如图1所示。发送信号路径从图的上半部分中的左侧延伸到右侧;输入端口位于标有“PA_RFin”的引脚上。输入信号由三级功放(PA)放大，然后通过RF功率检测器和单

东南大学MMIC设计，MMIC是单片砷化镓芯片设计，砷化镓芯片多用于毫米波波段，裸片需要通过金线键合到传输线。

简要介绍了MMIC设计中的放大器的输入输出端的匹配网络设计原理和类型，适合新手阅读

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