Matlab领域上传的视频均有对应的完整代码，皆可运行，亲测可用，适合小白； 1、代码压缩包内容 主函数：main.m； 调用函数：其他m文件；无需运行 运行结果效果图； 2、代码运行版本 Matlab 2019b；若运行有误，根据提示修改；若不会，私信博主； 3、运行操作步骤 步骤一：将所有文件放到Matlab的当前文件夹中； 步骤二：双击打开main.m文件； 步骤三：点击运行，等程序运行完得到结果； 4、仿真咨询 如需其他服务，可私信博主或扫描视频QQ名片； 4.1 博客或资源的完整代码提供 4.2 期刊或参考文献复现 4.3 Matlab程序定制 4.4 科研合作

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提出了一种超结（SJ）VDMOS，其沟槽栅极下方具有高k（HK）介电柱，并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度，从而降低了比导通电阻（Ron，sp），而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下，HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度，从而提高了击穿电压（BV）。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱，以进一步降低Ron，sp。 与传统的SJ VDMOS相比，R on，sp降低了42％，BV增加了15％。

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