瞬态响应 瞬态响应为负载电流突变时引起输出电压的最大变化，它是输出电容Co及其等效串联电阻ESR和旁路电容Cb的函数，其中Cb的作用是提高负载瞬态响应能力，也起到了为电路高频旁路的作用 。 为了获得更好的瞬态响应，LDO需要更宽的带宽，更大的输出容量，低ESR电容（当然要满足CSR要求）

. 总结针对计算应用的典型同步降压调节器负载设计规范；Tjcn、负载电流、DC和瞬态调节 . 简单概述带来典型的每相20 - 30 A电流的因素；工作频率、瞬态响应和效率 . 解释三要素概念=>额定输出电流由三个因素确定：输出功率/电流、效率，以及Tjcn-amb热阻抗 . 总结功率级(Power Stage)器件设计特性，优化效率和热阻抗 . 展示在效率、功率损耗和温升等方面的测量数据 . 解释采用如何测量安装在电源板上的零部件的热阻抗 . 探讨受输出电压影响的效率和热阻抗，及所产生的HS/LS占空比(duty cycle) . 结论 II.典型的同步降压计算负载规范 针对典型的同步降压调节器计算负载需求，对功率级系列部件进行优化。这些应用将具有大范围的电流水平且可以是单相或者多相。通过在每相基准上比较电源系统(power train)规范，我们注意到，许多设计显示了共同的工作范围。典型的每相电源系统规范为： . 电源系统占空比为5 % - 40 % . 工作频率：300 kHz到600 kHz . 负载功率：25 W . 负载电流：25 A 针对此设计范

压电双材料基体裂纹瞬态响应的时域边界元分析，雷钧，杨庆生，本文采用时域边界元法对力电平面冲击载荷作用下双层压电材料中基体裂纹的瞬态响应问题进行了数值研究。针对典型的双材料模型，采

二阶系统的瞬态响应分析实验报告

 利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

下图为二阶系统单位阶跃响应的通用曲线。

基于上华0.5 μm工艺设计了用于DC/DC的CMOS低压差线性稳压器,其输入电压为3.3 V，输出电压为1.2 V，最大输出电流为100 mA; 提出了一种补偿网络，保证负载电流发生变化时，LDO具有高稳定性。此外，还设计了一种瞬态响应改善电路来提高负载瞬态响应。仿真结果表明，该 LDO在不同负载情况下的相位裕度均为80°，流片测试结果显示瞬态响应良好。

碳纳米管集成电路的瞬态响应

串联RC的瞬态响应-串联RC电路的阶跃响应MATLAB/Simulink

瞬态响应