在电力电子领域，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为开关元件广泛应用在电源转换、电机驱动等系统中。死区时间（Dead Time）是MOS管开关控制中的一个重要参数，它涉及到电路的安全性和效率。本资料“基于RC的mos管死区时间设置的实现”主要探讨如何利用RC网络来精确设定MOS管的死区时间。 死区时间是指在一对互补的MOS管（通常为NMOS和PMOS）中，一个管子关闭到另一个管子打开之间的时间间隔。这个时间段是为了避免两个MOS管同时导通，导致直通现象，从而造成功率损耗甚至损坏器件。因此，死区时间的设置需要兼顾安全和效率的平衡。 基于RC的死区时间设置方法是利用电容充放电的特性来实现。RC网络由一个电容C和一个电阻R组成，其时间常数τ=RC决定了电容充电或放电所需的时间，这个时间常数可以与所需的死区时间相对应。当一个MOS管关闭时，RC网络开始充电；当电容充电至一定电压阈值时，触发器动作，使另一个MOS管开始打开。通过调整R和C的值，可以精确地调整死区时间。 在文档"用RC实现mos管死区时间设置.doc"中，可能会详细介绍以下内容： 1. RC网络的原理和设计：包括RC网络的选择、电容和电阻的计算方法，以及如何根据所需死区时间确定合适的τ值。 2. MOS管驱动器的工作原理：介绍MOS管驱动器如何处理输入信号，并通过RC网络控制死区时间。 3. 死区时间的影响因素：如电源电压波动、温度变化对死区时间设置的影响，以及如何补偿这些影响。 4. 实际应用案例：可能提供实际电路设计示例，展示如何将理论应用于实践，包括PCB布局和元器件选择。 5. 测试和调试方法：如何验证RC网络设置是否有效，以及如何调整以优化系统性能。 6. 安全和效率的考虑：讨论过度或不足的死区时间可能导致的问题，如开关损耗、电磁干扰和系统稳定性。 通过学习这份资料，工程师可以深入理解基于RC的死区时间设置方法，并能灵活应用于实际的电路设计中，提升系统的可靠性和效率。在实践中，根据具体应用需求和环境条件进行微调，是确保电路稳定运行的关键。

STM32F407ZGT6 两组互补PWM 代死区时间可调

作者Email: gouyujie@sina.com 摘要：针对不同厂家IPM要求的死区时间参数的不同，本文从硬件电路角度出发，提出一种延时电路方案，解决了因参数调整而引起软件的不统一问题，进而为MCU的大批量mask降低成本提供可能。 关键词： IPM 死区时间 随着现代电力电子技术的飞速发展，以绝缘栅双晶体管（IGBT）为代表的功率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件，集MOSFET与GTR的优点于一身，既具有输入阻抗高，开关速度快，热稳定性好和驱动电路简单的长处，又具有通态电压低，耐压高和承受大电流的优点，特别适合于电

　在PWM三相逆变器中，由于开关管存在一定的开通和关断时间，为防止同一桥臂上两个开关器件的直通现象，控制信号中必须设定几个微秒的死区时间。尽管死区时间非常短暂，引起的输出电压误差较小，但由于开关频率较高，死区引起误差的叠加值将会引起电机负载电流的波形畸变，使电磁力矩产生较大的脉动现象，从而使动静态性能下降，降低了开关器件的实际应用效果。本文从分析死区效应的产生机理入手，寻求死区效应的补偿方法。

三相SPWM逆变电路的simulink仿真，加入了死区时间，分析其输出电压的波形以及FFT分析，可以拿来学习。 学习地址：https://blog.csdn.net/qq_39400324/article/details/122673883

描述 交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸减小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000:trade_mark: MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率，此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。 特性 在高压线路上具有交流输入 (90-230Vrms)、50-60Hz 和 3.3KW 额定功率 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2% 提供 powerSUITE 支持，以使设计轻松适应用户要求 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路 低过零失真 说明了自适应死区时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式 功率级控制可以在 C28x CPU 或并行 CLA 上运行

在驱动电动机等的电力开关电路中，采用半桥式及全桥式电路时，必须要注意图1所示的实现推挽动作的设各的断开时间tdOFF的存在。如果推挽动作中的开关元件同时处于ON状态，会出现短路现象，引起设备烧损。所以在使用IGBT时，应设计数μs的空区（死区时间：DT）。 　　图1 推挽大功率开关电路中，为防止同时开关，各个驱动上应具有死区时间 　　图2是由时钟振荡电路的输出产生推挽用输出信号的电，该电路可使OUT1、OUT2的DT部分分离。这种电路的特征 　　图2 死区时间死区时间发生电路 　　是DT通常恒定，输入频率变化，输出波形的负载也同样变化。由于需要延迟电路部分的输人波形的负载为50

在现代工业中，采用IGBT器件的电压源逆变器应用越来越多。为了保证可靠的运行，应当避免桥臂直通。桥臂直通将产生不必要的额外损耗，甚至引起发热失控，结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。 　　下图画出了IGBT一个桥臂的典型结构。在正常运行时，两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通，则电流急剧上升，此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。 　　图1 电压源逆变器的典型结构 　　当然， 没有谁故意使两个IGBT同时开通，但是由于IGBT并不是理想开关器件，其开通时间和关断时间不是严格一致的。为了避免IGBT桥臂直通，通常建议在控制策略中加入所谓的“互锁

死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观，实验结果亦验证了其正确性和有效性。

该文档是英飞凌公司关于 电机驱动技术中死区时间设置的计算方式