两电平三相并网逆变器模型预测控制MPC 包括单矢量、双矢量、三矢量+功率器件损耗模型 Matlab simulink仿真(2018a及以上版本)

DL∕T 686-2018 电力网电能损耗计算导则

本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。

电动汽车逆变器是电动车辆动力系统的关键组成部分，其性能直接影响到电动汽车的效率和续航里程。逆变器的主要损耗来源于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和续流二级管。本文主要探讨了一种在不同功率因数角范围内计算这些元件功率损耗的新方法。 在逆变器的工作过程中，IGBT和续流二级管承担着电流的开关和续流功能。由于IGBT具有低驱动功率、高工作频率、大通态电流和小通态电阻等优点，成为了电力电子装置的首选器件。然而，这些器件在开关过程中会产生功率损耗，这不仅影响设备效率，还会导致发热问题，需要通过合理的散热设计来解决。 传统的IGBT功率损耗计算方法主要包括基于物理结构的损耗模型和基于数学方法的损耗模型。物理结构模型需要详细分析器件的物理特性，而数学模型则利用实验数据建立电流、电压与器件参数之间的数学关系，后者更为实用和通用。 本文提出了在空间电压矢量调制（SVPWM）7段调制模式下，针对不同功率因数角范围的IGBT和续流二级管导通功率损耗的计算公式。这种方法对已有的计算表达式进行了细化和优化，考虑了更广泛的功率因数角，从而提高了计算精度。 逆变器的功率损耗模型指出，损耗主要集中于IGBT和续流二极管。IGBT的损耗与其开关次数和导通电流大小有关，而续流二极管的损耗则取决于其导通状态下的电流。在SVPWM 7段调制下，每个周期内，6个IGBT和6个续流二级管按顺序开关，导通功率损耗均匀分布。因此，总的功率损耗可以通过计算一个IGBT和一个续流二级管的典型导通功率，然后乘以相应的数量来得到。 对于IGBT的导通损耗计算，通常假设导通电压与电流的关系，并利用恒定管压降和导通时的等效电阻来建立等式。在实际应用中，由于IGBT的开关频率很高，可以认为在一个周期内流过的电流近似不变，简化了损耗计算。 通过这种新的计算方法，设计者可以更准确地评估逆变器的功率损耗，从而优化散热设计，提高电动汽车的整体效率和可靠性。这对于新能源汽车的发展和推广至关重要，因为高效率和长续航是消费者关注的焦点。同时，这种精细化的计算方法也为后续的研究提供了更深入的理论基础。

图 7-15.16 路功率分配器的输入回波损耗图

当今社会越来越重视能源节约，无效损耗越小越好，特别是一些仪器仪表行业，在模块电源应用选型中，对模块电源的待机功耗要求很高

深海推进器用永磁无刷直流电机损耗的计算，刘如意，原庆兵，电机运行时要产生损耗，损耗将转变成热能，从而使电机各部分的温度升高，影响电机的性能和使用寿命。由于深海推进器用永磁无刷直

交流铁芯线圈的电磁关系 下图是交流铁芯线圈电路： 交流铁芯线圈电路 线圈的匝数为【N】，当线圈两端加上正弦交流电压【u】时，就有交变励磁电流【i】流过，在交变磁通势Ni的作用下产生交变的磁通，其绝大部分通过铁心，称为主磁通【Φ】，但还有很小部分从附近空气中通过，称为漏磁通【Φo】。这两种交变的磁通都将在线圈中产生感应电动势【e】和【eo】。 通过前人的分析和计算得知： 外加电压【u】的相位超前于铁芯中磁通【Φ】90°。 在忽略线圈电阻和漏磁通的条件下，当线圈匝数【N】和电源频率【f】一定时，铁心中的磁通最大值西【Φm】近似与外加电压有效值【U】成正比，而与铁心的材料及尺寸无关。 也就是说，当线圈匝数【N】、外加电压【u】和频率【f】都一定时，铁心中的磁通最大值【Φm】将保持基本不变。 这个结论对于分析交流电机、电器及变压器的工作原理是十分重要的。 交流铁芯线圈的功率损耗 在交流铁芯线圈电路中，线圈和铁芯中都会有功率损耗。 【∆Pcu】称为铜损，是由线圈自身电阻决定的，∆Pcu=R*I*I。 【∆Pfe】称为铁损，是由下述磁滞损耗和涡流损耗共同决定的，∆Pfe

作为移动同性行业的从业者，无论你是开发人员还是测试人员，或是工程人员优化人员，都会遇到链路损耗计算的问题，此工具很方便你快速计算损耗

对永磁耦合器涡流损耗功率进行了分析,根据电磁感应及能量守恒定律得到涡流损耗与其影响因素的关系,通过有限元仿真分析了稳定运行及过载状态下永磁耦合器的温升情况。结果表明,在相同负载的条件下,气隙厚度增加、导体盘电阻率增大、铜盘厚度减小都会导致涡流损耗增加;对于40 kW矿用永磁耦合器,使用自然风冷方式可以满足300 N·m以内负载的散热要求;过载情况下,永磁耦合器的永磁体会在45 s内达到居里温度并造成永久损坏,应及时关闭电机。